삼성전자

삼성전자는 반도체를 담당하는 DS 부문과 스마트폰·TV·가전을 담당하는 DX 부문, 그리고 삼성디스플레이·하만 등 자회사를 함께 보유한 종합 전자 기업이다.

DS 부문은 메모리(D램·낸드), 시스템LSI, 파운드리로 구성되며 2026년 2분기 기준 DS부문 영업이익은 89조 2000억원으로 전사 영업이익의 약 99.7%를 차지했다.

메모리는 에이전틱 AI 확산으로 수요가 강했던 서버용 제품을 중심으로 대응하며 역대 최대 분기 실적을 냈고, HBM4 공급을 확대하는 동시에 업계 최초로 HBM4E 샘플을 출하했다.

낸드에서는 회사가 올해 자사 낸드 매출에서 서버용 SSD 비중이 60%를 넘어설 것으로 전망했고, 주요 고객사와 다년 계약을 체결해 중장기 사업 가시성을 높였다고 밝혔다.

시스템LSI는 전반적인 수요 감소에도 모바일 SoC와 센서 판매 확대로 상반기 최대 매출을 달성했고, 파운드리는 HBM 베이스 다이와 미주 고객 중심 수요 증가로 매출이 늘었다.

HBM 구조 측면에서 삼성전자는 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 HBM4에 적용하고 베이스 다이는 자사 파운드리 4나노 공정으로 조달하는 방식을 택해 경쟁사와 다른 공급망을 갖췄다.

전방 고객은 AI 가속기 업체로, HBM4는 엔비디아 베라 루빈과 AMD MI450에 탑재될 차세대 가속기용 메모리로 거론되며 파운드리에서는 미국 대형 고객의 2나노 고성능 컴퓨팅 주문을 확보했다고 회사가 밝혔고 공급망에서는 테슬라 AI 칩으로 지목됐다.

반면 DX 부문은 갤럭시 S26 시리즈와 A시리즈 판매 호조로 매출은 전년 대비 성장했으나 부품 원가 상승으로 영업이익이 감소하는 구조에 놓였다. 경쟁 구도는 메모리에서 SK하이닉스·마이크론, 파운드리에서 TSMC와의 격차 축소가 핵심 축이다.

연간 흐름을 보면 2022년 매출 302조 2314억원·영업이익 43조 3766억원(영업이익률 14.4%)에서 2023년 매출 258조 9355억원·영업이익 6조 5670억원(2.5%)으로 급락한 뒤, 2024년 매출 300조 8709억원·영업이익 32조 7260억원(10.9%), 2025년 매출 333조 6059억원·영업이익 43조 6011억원(13.1%)으로 이익이 회복됐다.

2025년 지배주주 순이익은 44조 2610억원, 영업활동현금흐름은 85조 3151억원으로 2023년(44조 1374억원)의 약 두 배 수준까지 올라왔고 부채비율은 29.9%로 낮은 수준을 유지했다. 분기 흐름의 기울기가 더 극적이다.

2025년 2분기 매출 74조 5663억원·영업이익 4조 6761억원(영업이익률 약 6.3%)에서 2025년 3분기 86조 617억원·12조 1661억원, 4분기 93조 8374억원·20조 737억원으로 단계적으로 올라섰다.

이어 2026년 1분기 매출 133조 8734억원·영업이익 57조 2328억원(약 42.8%), 2026년 2분기 매출 171조 4995억원·영업이익 89조 4924억원(약 52.2%)으로 네 개 분기 만에 매출은 두 배 이상, 영업이익은 열 배 이상으로 확대됐다. 급증의 직접적 원인은 가격이다.

회사는 2분기 평균 판매 단가가 전 분기 대비 D램은 40% 중반, 낸드는 60% 후반 상승했다고 밝혔고, D램 비트 출하량은 전 분기 대비 10% 초반 증가해 가이던스를 상회했고 낸드는 한 자릿수 초반 증가로 가이던스에 부합했다고 설명했다.

2026년 2분기 지배주주 순이익은 71조 2695억원으로 영업이익을 크게 밑도는데, 법인세 등 영업외 요인이 개입한 결과로 이익의 최종 귀속분은 영업 단계 증가율보다 완만하게 늘었다.

이익 구성 측면에서는 DX 부문이 8000억원의 영업손실을 기록해 2021년 부문 출범 이후 첫 분기 적자를 냈다는 점이 함께 확인됐고, 비용 측면에서는 1분기 컨콜에서 상여금 충당이 노사 협의 중이어서 1분기에 반영되지 않았고 협상 결과에 따라 2분기 반영 여부를 결정한다고 밝힌 대목이 분기 간 비교 시 참고할 변수다.

메모리 업황은 AI 서버 투자가 주도하는 상승 국면에 놓여 있다. 시그마인텔은 전세계 D램 수급 비율이 2025년 8% 공급과잉에서 2026년 12% 공급부족으로 전환할 것으로 전망했고, 전세계 D램 웨이퍼 생산능력 중 HBM 비중이 올해 20%를 넘어설 것으로 봤다.

HBM이 선단 생산능력을 선점하면서 범용 제품이 오히려 빠듯해지는 구도도 나타났다. 한화투자증권은 2026년 6월 26일 3분기 범용 D램 가격이 전 분기보다 15~25%, 낸드는 20~25% 상승할 것으로 전망했으며 이는 3월 시장 전망치의 두 배 이상 수준이라고 설명했다.

삼성전자 평택 P4L과 SK하이닉스 청주 M15X의 가동 확대도 핵심 역할이 HBM 수요 대응에 맞춰져 있어 범용 D램 부족을 단기에 풀기 어렵다는 분석도 제시됐다. 경쟁 포지션은 세대 전환기에 이동 중이다.

카운터포인트리서치 기준 2025년 3분기 매출 기준 HBM 점유율은 SK하이닉스 57%, 삼성전자 22%로 격차가 35%포인트에 달했다.

반면 HBM4에서는 초당 13Gb 속도의 HBM4를 만드는 곳은 삼성전자뿐으로 알려졌고 SK하이닉스와 마이크론은 공식적으로 11.7Gb를 제시한다는 점이 거론되며, 회사는 하반기 중 전체 D램 시장 점유율과 동등한 수준의 HBM 점유율 확보를 전망했다. 사이클 위치에 대한 해석은 갈린다.

삼성전자 경계현 고문은 중국 기업의 공격적 생산능력 확대에 따라 2026년 하반기 또는 2028년 상반기부터 공급이 크게 늘며 메모리 가격이 하락할 수 있다고 지적했다.

회사가 제시한 방향은 하반기 AI 메모리 믹스 강화다. 회사는 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대되고 하반기 기준 HBM4가 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것으로 전망했다.

메모리는 고성능 HBM4E를 포함한 HBM4, DDR5, SOCAMM2, eSSD 판매 확대를 계획하고, 파운드리는 2나노 2세대 모바일향 양산을 시작하고 선단공정과 AI·HPC향 수주 확대를 추진한다는 방침이다.

파운드리 가동률과 수주에 대해서는 2분기 컨콜에서 선단 공정 증설 속도가 수요를 따라가지 못하고 있고, 8나노 이하 선단 공정 가동률이 최대 수준이며 올해 2나노 수주 과제 수가 전년 대비 2배 이상 확대될 전망이라고 밝혔다.

설비 측면에서는 2분기 시설투자가 16조 8000억원으로 전 분기보다 5조 5000억원 늘었고 평택 신규 라인 인프라와 미국 테일러 공장 투자가 본격화됐다.

중장기 거점으로는 테일러 팹1의 2026년 가동 준비를 계획대로 진행하고 있고, 테일러 팹2는 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중이며 1.4나노 고객 문의 증가에 따라 추가 팹 확보도 검토한다고 설명했다.

국내에서는 6개 페이즈로 구성되는 평택 P5의 클린룸 구축 일정이 수급 불균형으로 앞당겨졌고 일부 라인을 낸드 라인으로 셋업하기로 했다는 보도가 있었다. 수요 가시성 확보 수단으로는 메모리 공급 부족 장기화에 대비해 주요 글로벌 데이터센터·AI 고객과 장기공급계약을 확대하는 전략이 제시됐다.

다만 DX에 대해서는 글로벌 불확실성 확대와 부품 비용 상승으로 어려운 경영환경이 지속될 것으로 예상해 경쟁력 강화와 체질 개선을 함께 추진한다는 계획을 밝혔다.